代理PW2320芯片,N沟道增强型MOSFET,先进的沟道技术,良好的RDS(ON)

2021-01-04 17:33:00
admin
原创
57


一般说明

PW2320 采用先进的沟道技术,提供良好的 RDS ON ),低栅极充电和低至 2.5V 的栅极电压操作。该设备适合用作电池保护或其他开关应用。

特征

l  VDS=20V ID=8A

l  RDS(开)<12mΩ@VGS=4.5V

l  提供3针SOT23-3封装
代理商:深圳市夸克微科技 郑先生 :13528458039 QQ 2867714804


注:

1、 重复额定值:脉冲宽度由最高结温限制。

2、 明装在FR4板上,t≤10秒。

3、 脉冲测试:脉冲宽度≤300μs,占空比≤2%。

4、 设计保证,不受生产限制


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深圳市夸克微科技有限公司
联系人: 郑先生
电话: 13528458039
Email: zqf@kkmicro.com
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