代理PW7152是一款超小型化的 SOT23-6 封装的芯片，极少的外围元器件，原装现货，技术支援

概述
PW7152 采用 SOT23， 6 引脚的封装形式， PW7152 是一款基于 CMOS 的双节可充电锂电池保护电路，它
集高精度过电压充电保护、过电压放电保护、过电流充电保护、过电流放电保护、电池短路保护等性能于一身。
特点
⚫ 两节锂离子或锂聚合物电池的理想保护电路
⚫ 过电压充电保护阈值 VOCUTYP/VOCDTYP : 4.25V （ ±25 mV ），过电压充电恢复阈值 VOCRUTYP/ VOCRDTYP : 4.05V （ ±50 mV ）
⚫ 过电压放电保护阈值 VODUTYP/ VODDTYP : 2.5V （ ±25 mV ） ，过电压放电恢复阈值 VODRUTYP/ VODRDTYP :3.0V （ ±100 mV ）
⚫ 过电流放电保护阈值 VEDITYP : 0.2V （ ±30 mV ）， 过电流充电保护阈值 VECITYP : -0.2V （ ±30 mV ）
⚫ 过电压充电保护延迟时间 tOCTYP : 1s （ ±30% ） ， 过电压放电保护延迟时间 tODTYP : 128ms （ ±30% ）
⚫ 过电流放电保护延迟时间 tEDITYP : 12ms （ ±30% ） , 过电流充电保护延迟时间 tECITYP : 8ms （ ±30% ）
⚫ 低供电电流 ,
⚫ 在低功耗模式，不接充电器情况下，可自动恢复状态
⚫ 电池短路保护
⚫ 缩短延迟时间测试功能
⚫ 0V 电池充电功能
⚫ 极少的外围元器件
⚫ 超小型化的 SOT23-6 封装

应用
⚫ 两节锂电池的充电、放电保护电路
⚫ 电话机电池或其它两节锂电池高精度保护器
代理商：深圳市夸克微科技 郑先生 ：13528458039 QQ 2867714804
典型应用电路



功能描述
PW7152 是一款高精度的两节锂电池保护电路。正常状态下 , 可以对电池进行充电或放电。 PW7152 一直检
测两个电池电压以及 VM 端和 VSS 端的电压差，当某个电压超出正常阈值范围时，充电控制端 COUT 或放电控制
端 DOUT 由高电平转为低电平，从而使外接充电 / 放电控制 N-MOSFET 管 Q1 或 Q2 关闭，充电 / 放电回路被 “ 切
断 ” ，即 PW7152 进入相应的保护状态。 PW7152 支持以下 4 种保护模式。
⚫ 过电压充电保护状态 (OC)
⚫ 过电压放电保护 (OD)/ 低功耗状态 (PDWN)
⚫ 过电流放电保护 (EDI)/ 电池短路保护状态 (Short)
⚫ 过电流充电保护 (ECI)
正常状态下， PW7152 由电池供电。当两节电池电压（VBATU /VBATD )都在过电压充电保护阈值（VOCU/D ）和过
电压放电保护阈值（VODU/D ）之间，且其 VM 检测端电压在过电流充电保护阈值（VECI ）和过电流放电保护阈值（VEDI ）
之间，此时 PW7152 的 COUT 端和 DOUT 端都输出高电平，分别使外接充电控制 N-MOSFET 管 Q1 和放电控制
N-MOSFET 管 Q2 导通。这时，既可以使用充电器对电池充电，也可以通过负载使电池放电。
PW7152 通过检测两个电池电压来进行过充/放电保护。当充/放电保护条件发生时， COUT /DOUT 由高电平变
为低电平，使 Q1/Q2 由导通变为截止，从而充/放电过程停止。 PW7152 对每种保护状态都有相应的恢复条件，
当恢复条件满足以后， COUT /DOUT 由低电平变为高电平， 使 Q1/Q2 由截止变为导通，从而进入正常状态。
PW7152 对每种保护/恢复条件都设置了一定的延迟时间，只有在保护/恢复条件持续到相应的时间以后， 才
进行相应的保护/恢复。如果保护/恢复条件在相应的延迟时间以前消除，则不进入保护/恢复状态。 当 VM 小于-5V，
VDD 从 0V 升高至正常值时，芯片将进入快速检测模式，缩短延迟时间，并禁止过电流充电保护功能。过电压充电
检测和过电压放电检测延迟时间会缩短到将近 1ms，这能有效地缩短保护电路 PCB 的检测时间。当 VM 升高至
0V 以上时，芯片将退出快速检测模式。
当 PW7152 在某一保护状态时，如果满足一定条件，即恢复到正常状态。下面对各状态进行详细描述。
正常状态 :
在正常状态下， PW7152 由电池供电。 当两节电池电压（ VBATU /VBATD )都在过电压充电保护阈值（ VOCU/D）
和过电压放电保护阈值（ VODU/D）之间，且其 VM检测端电压在过电流充电保护阈值（ VECI）和过电流放电保护阈
值（ VEDI） 之间，此时 PW7152 的 COUT 端和 DOUT 端都输出高电平，分别使外接充电控制 N-MOSFET 管
Q1 和放电控制 N-MOSFET 管 Q2 导通。这时，既可以使用充电器对电池充电，也可以通过负载使电池放电。
过电压充电保护状态（OC） ：
保护条件
正常状态下，对电池进行充电，如果使任何一个电池 电 压 （ VBATU /VBATD ） 超 过 过 电 压 充 电 保 护
阈 值 (VOCU/D ），且持续时间超过过电压充电保护延迟时间（ tOC ），则 PW7152 将使充电控制端 COUT 由高电平转
为 VM 端电平（低电平），从而使外接充电控制 N-MOSFET 管 Q1 关闭，充电回路被 “ 切断 ” ，即 PW7152 进入过
电压充电保护状态。
恢复条件：
有以下两种条件可以使 PW7152 从过电压充电保护状态恢复到正常状态：
1）电池由于“自放电” 使电池电压（VBATU /VBATD ）低于过电压充电恢复阈值（VOCRU/D ）， VM 端电压低于过电
流放电保护阈值（VEDI ），且持续时间超过过电压充电恢复延迟时间（tOCR )；
2 ）通过负载使电池放电（注意，此时虽然 Q1 关闭，但由于其体内二极管的存在，使放电回路仍然存在），当
电池电压（ VBATU /VBATD ） 低于过电压充电保护阈值（ VOCU/D ）， VM 端电压高于过电流放电保护阈值（ VEDI ），且
持续时间超过过电压充电恢复延迟时间（ tOCR ) 。（在 Q1 导通以前， VM

将比 充	V SS 端高一个二极管的导通 控制 N-MOSFET 管 Q1 回

压降）。 PW7152 恢复到正常状态以后，充电控制端 COUT 到导通状态。
过电压放电保护/低功耗状态（OD/PDWN)
保护条件
正常状态下，如果电池放电使使任何一个电池电压（VBATU /VBATD ）低于过电压放电保护阈值（VODU/D ），且
持续时间超过过电压放电保护延迟时间（tOD ）， 则 PW7152 将使放电控制端 DOUT 由高电平转为 VSS 端电平（低
电平），从而使外接放电控制 N-MOSFET 管 Q2 关闭，放电回路被“切断”，即 PW7152 进入过电压放电保护状态。
同时， VM 端电压将通过内部电阻 RVMD 被上拉到 VDD 。 在过电压放电保护状态下， VM 端（亦即 VDD 端） 电压
总是高于电池短路保护阈值（VSHORT ），满足此条件后，电路会进入“省电” 的低功耗模式。此时， VDD 端的电流将
低于 2.1μA。
恢复条件
对于处在低功耗模式下电路， 如果对电池进行充电（同样，由于 Q2 体内二极管的存在，此时的充电回路也
是存在的）， 使 VM 端电压低于电池短路保护阈值（VSHORT ），则 PW7152 将恢复到过电压放电保护状态， 此时，
放电控制端 DOUT 仍为低电平， Q2 还是关闭的。 如果此时停止充电，由于 VM 端仍被 RVMD 上拉到 VDD ， 大于
电池短路保护阈值（ VSHORT ），因此 PW7152 又将回到低功耗模式；只有继续对电池充电，当两个电池电压
（VBATU /VBATD ）都大于过电压放电保护阈值（VODU/D ） 时， PW7152 才可从过电压放电保护状态恢复到正常状
态。
如果不使用充电器，由于电池去掉负载后的“自升压”，可能会使两个电池电压（VBATU /VBATD ） 超过过电压放
电恢复阈值（VODRU/D ）， 且持续时间超过过电压放电恢复延迟时间（tODR ）， 此时 PW7152 也将从过电压放电保
护状态或低功耗模式恢复到正常状态。
PW7152 恢复到正常状态以后，放电控制端 DOUT 将输出高电平，使外接放电控制 N-MOSFET 管 Q2 回到
导通状态。
过电流放电/电池短路保护状态(EDI)
保护条件
正常状态下， PW7152 通过负载对电池放电， VM 端电压将随放电电流的增加而升高。如果放电电流增加使
VM 端电压超过过电流放电保护阈值（VEDI ）， 低于电池短路保护阈值（VSHORT ）， 且持续时间超过过电流放电保
护延迟时间（tEDI ），则 PW7152 进入过电流放电保护状态；如果放电电流进一步增加使 VM 端电压超过电池短路
保护阈值（VSHORT ），且持续时间超过短路延迟时间（ tSHORT ），则 PW7152 进入电池短路保护状态。 PW7152 处
于过电流放电 / 电池短路保护状态时， DOUT 端将由高电平转为 VSS 端电平，从而使外接放电控制 N-MOSFET 管
Q2 关闭，放电回路被 “ 切断 ” ；同时， VM 端将通过内部电阻 RVMS 连接到 VSS ，放电负载取消后， VM 端电平即
变为 VSS 端电平。
恢复条件
在过电流放电 / 电池短路保护状态下，当 VM 端电压由高降低至低于过电流放电保护阈值（ VEDI ），且持续时间
超过过电流放电恢复延迟时间（tEDIR ），则 PW7152 可恢复到正常状态。因此，在过电流放电 / 电池短路保护状态
下，当所有的放电负载取消后， PW7152 即可 “ 自恢复 ” 。
PW7152 恢复到正常状态以后，放电控制端 DOUT 将输出高电平，使外接放电控制 N-MOSFET 管 Q2 回到
导通状态。
过电流充电保护状态 (ECI) ：
保护条件
正常状态下，使用充电器对电池进行充电， VM 端电压将随充电电流的增加而降低。如果充电电流增加使 VM
端电压低于过电流充电保护阈值（ VECI

时间 MO

（ t ECI ），则 PW7152 将使充 FET 管 Q1 关闭，充电回路

电控制端 COUT 由高电平转为 VM 端电平（低电平），从而使外接充电控制 N- 被 “ 切断 ” ，即 PW7152 进入过电流充电保护状态。
恢复条件
在过电流充电保护状态，如果取消充电器，则 VM 端电压将会升高，当它大于过电流充电保护阈值（ VECI ），
且持续时间超过过电流充电恢复延迟时间（ tECIR ）， PW7152 将恢复到正常状态。
PW7152 恢复到正常状态以后，充电控制端 COUT 将输出高电平，使外接充电控制 N-MOSFET 管 Q1 回到
导通状态。延迟时间缩短测试功能当 VM 小于 -5V ， VDD 从 0V 升高至正常值时，芯片将进入快速检测模式，缩
短延迟时间，并禁止过电流充电保护功能。过电压充电检测和过电压放电检测延迟时间会缩短到将近 1ms ， 这可
以有效地缩短保护电路 PCB 的检测时间。当 VM 升高至 0V 以上时，芯片将退出快速
0V 电池充电
PW7152 的 0V 电池充电功能可以对电压为 0V 的电池进行再充电。 如果使用充电器对电池充电，使 VDD
端相对 VM 端的电压大于 0V 充电阈值（ V0CHA ） 时，其充电控制端 COUT 将被连接到 VDD 端。若该电压能够
使外接充电控制 N-MOSFET 管 Q1 导通，则通过放电控制 N-MOSFET 管 Q2 的体内二极管可以形成一个充电
回路，使电池电压升高；当电池电压升高致使 VDD 端电压超过过电压放电保护阈值（ VODU/D ） 时， PW7152
将回到正常状态，同时放电控制端 COUT 输出高电平，使外接放电控制 N-MOSFET ， Q2 处于导通状态。
R1、 R2 和 R3 的确定：
R1 和 R2 用于稳定芯片的供电电压， 推荐分别使用 330Ω 的电阻。 如果 R1 和 R2 太大，芯片的导通电流
会导致检测电压上升，使各检测阈值与电池实际电压偏差增加；同时，如果充电器接反，可能会使 PW7152 电路
的 VDD 端与 VSS 端电压超过极限值，导致电路损坏， 因此 R1 和 R2 也不宜太小， 一般控制在 100Ω 至 470Ω
之间。在充电器反接或连接充电电压高于极限值的充电器时， R3 起限制电流的作用。 如果 R3 太小， 由于充电
器的反接在芯片内部流入容许功耗以上的电流，有导致芯片损坏的危险。 R3 连接过大电阻，当连接高电压充电器
时，有可能导致不能切断充电电流的情况发生。因此， R3 应控制在 1kΩ 至 4KΩ 之间。
C1 和 C2 的确定
C1 和 C2 有稳定 VDD 电压的作用，尽量选用大于或等于 0.1μF 的电容。