代理PW2320芯片,N沟道增强型MOSFET,先进的沟道技术,良好的RDS（ON）

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一般说明

PW2320 采用先进的沟道技术，提供良好的 RDS （ ON ），低栅极充电和低至 2.5V 的栅极电压操作。该设备适合用作电池保护或其他开关应用。

特征

l VDS=20V ID=8A

l RDS（开）<12mΩ@VGS=4.5V

l 提供3针SOT23-3封装

注：

1、 重复额定值：脉冲宽度由最高结温限制。

2、 明装在FR4板上，t≤10秒。

3、 脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%。

4、 设计保证，不受生产限制