代理PW3467芯片N沟道增强型MOSFET,低至4.5V的电压
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代理PW3467芯片N沟道增强型MOSFET,低至4.5V的电压

  • 价格 面议
  • 品牌 平芯微 PW3467
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一般说明

PW3428采用先进的沟道技术,提供优良的RDS(ON),低栅极电荷和低至4.5V的栅极电压。该器件适合用作电池保护或其他开关应用。

特征
VDS:30V

编号:28A

RDS(开):典型15mΩ@VGS=10V

提供8针DFN3*3封装

代理商:深圳市夸克微科技 郑先生 :13528458039 QQ 2867714804


绝对最大额定值(TA=25℃,除非另有说明)




注意
1、 数据通过表面安装在1英寸2 FR-4板上的2OZ铜进行测试。
2、 测试数据由脉冲,脉冲宽度。EAS数据显示最大额定值。
3、 其功耗受175℃结温的限制
4、 试验条件为V≤300us,占空比DD=25≤V,V 2%GS=10V,L=0.1mH,IAS=53.8A
5、 数据理论上与ID和IDM相同,在实际应用中,应受到总功耗的限制




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