代理PW3467芯片N沟道增强型MOSFET，低至4.5V的电压

一般说明

PW3428采用先进的沟道技术，提供优良的RDS（ON），低栅极电荷和低至4.5V的栅极电压。该器件适合用作电池保护或其他开关应用。

特征
VDS:30V

编号：28A

RDS（开）：典型15mΩ@VGS=10V

提供8针DFN3*3封装

代理商：深圳市夸克微科技 郑先生 ：13528458039 QQ 2867714804

注意
1、 数据通过表面安装在1英寸2 FR-4板上的2OZ铜进行测试。
2、 测试数据由脉冲，脉冲宽度。EAS数据显示最大额定值。
3、 其功耗受175℃结温的限制
4、 试验条件为V≤300us，占空比DD=25≤V，V 2%GS=10V，L=0.1mH，IAS=53.8A
5、 数据理论上与ID和IDM相同，在实际应用中，应受到总功耗的限制