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一般说明
PW3428采用先进的沟道技术,提供优良的RDS(ON),低栅极电荷和低至4.5V的栅极电压。该器件适合用作电池保护或其他开关应用。
特征
VDS:30V
编号:28A
RDS(开):典型15mΩ@VGS=10V
提供8针DFN3*3封装
代理商:深圳市夸克微科技 郑先生 :13528458039 QQ 2867714804
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绝对最大额定值(TA=25℃,除非另有说明)
参数 |
符号 |
评级 |
单位 |
漏源极电压 |
VDS |
30 |
V |
栅源电压 |
VGS |
±20 |
V |
持续漏电流, VGS@10V (注 1 ) |
ID@TC=25℃ |
28 |
A |
持续漏电流, VGS@10V (注 1 ) |
ID@TC=100℃ |
12 |
A |
脉冲漏电流(注 2 ) |
IDM |
50 |
A |
总功耗(注 3 ) |
PD @TC=25℃ |
20.8 |
W |
总功耗(注 3 ) |
PD @TA=25℃ |
2 |
W |
储存温度范围 |
TSTG |
-55 至 150 |
℃ |
工作结温范围 |
TJ |
-55 至 155 |
℃ |
单脉冲雪崩能量(注 4 ) |
EAS |
8.1 |
mJ |
雪崩电流 |
IAS |
12.7 |
A |
热电阻接线盒(注 1 ) |
RθJC |
3.8 |
℃/W |
热电阻结环境(注 1 ) |
RθJA |
62 |
℃/W |
注意
1、 数据通过表面安装在
1英寸
2 FR-4板上的
2OZ铜进行测试。
2、 测试数据由脉冲,脉冲宽度。 EAS数据显示最大额定值。
3、 其功耗受结温 150℃的限制
4、 试验条件为 V≤300us,占空比 DD=25≤V, V 2%GS=10V, L=0.1mH, IAS=12.7A
5、 数据理论上与 ID和 IDM相同,在实际应用中,应受到总功耗的限制
联系人: | 郑先生(夸克微科技,不是夸克浏览器的) |
---|---|
电话: | 13528458039 |
Email: | zqf@kkmicro.com |
QQ: | 2867714804 |
微信: | 13528458039 |
地址: | 深圳市福田区赛格广场24楼2401A |