芯片信息

PW2307具有比 PW2305更高的 ID电流值,内阻比 PW2305和 PW2302A偏低 PW2307基本参数: VDS = -20V ,&nb...
PW2305采用先进的沟槽技术,高密度,低导通电阻,是一个非常有效和可靠的 MOS管装置。 PW2305是一颗 P沟道的低内阻场效应 MOS管。   代理商:...
A2SHB是 PW2302A产品PW2302A基本参数 VDS = 20V , ID =3.2A , RDS(ON) < 32mΩ @VGS=4.5VPW2302A采...
PW2301A采用先进的沟槽技术,高密度,低导通电阻,是一个非常有效和可靠的 MOS管装置。 PW2301A是一颗 P沟道的 MOS管A1SHB是 PW2301A芯片,低导通内阻:&nb...
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