代理PW7152是一款超小型化的 SOT23-6 封装的芯片,极少的外围元器件,原装现货,技术支援

2021-08-24 14:29:00
admin
原创
221
概述
PW7152 采用 SOT23, 6 引脚的封装形式, PW7152 是一款基于 CMOS 的双节可充电锂电池保护电路,它
集高精度过电压充电保护、过电压放电保护、过电流充电保护、过电流放电保护、电池短路保护等性能于一身。
特点
⚫  两节锂离子或锂聚合物电池的理想保护电路
⚫  过电压充电保护阈值  VOCUTYP/VOCDTYP 4.25V ±25 mV ),过电压充电恢复阈值  VOCRUTYP/ VOCRDTYP : 4.05V ±50 mV
⚫  过电压放电保护阈值  VODUTYP/ VODDTYP 2.5V ±25 mV ) ,过电压放电恢复阈值  VODRUTYP/ VODRDTYP  :3.0V ±100 mV
⚫  过电流放电保护阈值  VEDITYP  : 0.2V ±30 mV ), 过电流充电保护阈值  VECITYP  : -0.2V ±30 mV
⚫  过电压充电保护延迟时间  tOCTYP : 1s ±30% ) , 过电压放电保护延迟时间  tODTYP  : 128ms ±30%
⚫  过电流放电保护延迟时间  tEDITYP  12ms ±30% )  过电流充电保护延迟时间  tECITYP  8ms ±30%
⚫  低供电电流 ,
⚫  在低功耗模式,不接充电器情况下,可自动恢复状态
⚫  电池短路保护
⚫  缩短延迟时间测试功能
⚫  0V  电池充电功能
⚫  极少的外围元器件
⚫  超小型化的  SOT23-6  封装

应用
⚫  两节锂电池的充电、放电保护电路
⚫  电话机电池或其它两节锂电池高精度保护器
代理商:深圳市夸克微科技 郑先生 :13528458039 QQ 2867714804
典型应用电路



功能描述
PW7152  是一款高精度的两节锂电池保护电路。正常状态下 , 可以对电池进行充电或放电。  PW7152  一直检
测两个电池电压以及 
V端和  VSS  端的电压差,当某个电压超出正常阈值范围时,充电控制端  COUT  或放电控制
端 
DOUT  由高电平转为低电平,从而使外接充电 / 放电控制  N-MOSFET  管  Q1  或  Q2  关闭,充电 / 放电回路被
,即  PW7152  进入相应的保护状态。  PW7152  支持以下  种保护模式。
⚫  过电压充电保护状态  (OC)
⚫  过电压放电保护  (OD)/  低功耗状态  (PDWN)
⚫  过电流放电保护 (EDI)/  电池短路保护状态  (Short)
⚫  过电流充电保护 (ECI)
正常状态下, PW7152 由电池供电。当两节电池电压(VBATU /VBATD )都在过电压充电保护阈值(VOCU/D )和过
电压放电保护阈值(V
ODU/D )之间,且其 VM 检测端电压在过电流充电保护阈值(VECI )和过电流放电保护阈值(VEDI
之间,此时 PW7152 的 C
OUT  端和 DOUT  端都输出高电平,分别使外接充电控制 N-MOSFET 管 Q1 和放电控制
N-MOSFET 管 Q2 导通。这时,既可以使用充电器对电池充电,也可以通过负载使电池放电。
PW7152 通过检测两个电池电压来进行过充/放电保护。当充/放电保护条件发生时, C
OUT /DOUT  由高电平变
为低电平,使 Q1/Q2 由导通变为截止,从而充/放电过程停止。 PW7152 对每种保护状态都有相应的恢复条件,
当恢复条件满足以后, C
OUT /DOUT  由低电平变为高电平, 使 Q1/Q2 由截止变为导通,从而进入正常状态。
PW7152 对每种保护/恢复条件都设置了一定的延迟时间,只有在保护/恢复条件持续到相应的时间以后, 才
进行相应的保护/恢复。如果保护/恢复条件在相应的延迟时间以前消除,则不进入保护/恢复状态。 当 VM 小于-5V,
V
DD  从 0V 升高至正常值时,芯片将进入快速检测模式,缩短延迟时间,并禁止过电流充电保护功能。过电压充电
检测和过电压放电检测延迟时间会缩短到将近 1ms,这能有效地缩短保护电路 PCB 的检测时间。当 VM 升高至
0V 以上时,芯片将退出快速检测模式。
当  PW7152  在某一保护状态时,如果满足一定条件,即恢复到正常状态。下面对各状态进行详细描述。
正常状态 :
在正常状态下,  PW7152 由电池供电。 当两节电池电压( VBATU /VBATD )都在过电压充电保护阈值( VOCU/D)
和过电压放电保护阈值( VODU/D)之间,且其  VM检测端电压在过电流充电保护阈值( VECI)和过电流放电保护阈
值( VEDI) 之间,此时  PW7152 的  COUT 端和  DOUT 端都输出高电平,分别使外接充电控制  N-MOSFET 
Q1 和放电控制  N-MOSFET 管  Q2 导通。这时,既可以使用充电器对电池充电,也可以通过负载使电池放电。
过电压充电保护状态(OC) :
保护条件
正常状态下,对电池进行充电,如果使任何一个电池 电 压 ( VBATU /VBATD  ) 超 过 过 电 压 充 电 保 护
阈 值
(VOCU/D ),且持续时间超过过电压充电保护延迟时间( tOC ),则  PW7152  将使充电控制端  COUT  由高电平转
为 
V端电平(低电平),从而使外接充电控制  N-MOSFET  管  Q1  关闭,充电回路被 切断 ,即  PW7152  进入过
电压充电保护状态。
恢复条件:
有以下两种条件可以使  PW7152  从过电压充电保护状态恢复到正常状态:
1)电池由于“自放电” 使电池电压(V
BATU /VBATD )低于过电压充电恢复阈值(VOCRU/D ), V端电压低于过电
流放电保护阈值(V
EDI ),且持续时间超过过电压充电恢复延迟时间(tOCR );
2 )通过负载使电池放电(注意,此时虽然  Q1  关闭,但由于其体内二极管的存在,使放电回路仍然存在),当
电池电压(
VBATU /VBATD ) 低于过电压充电保护阈值( VOCU/D ),  V端电压高于过电流放电保护阈值( VEDI ),且
持续时间超过过电压充电恢复延迟时间( tOCR ) 。(在  Q1  导通以前,  VM

将比
V SS  端高一个二极管的导通
控制 
N-MOSFET  管  Q1 
压降)。  PW7152  恢复到正常状态以后,充电控制端  C OUT  到导通状态。
过电压放电保护/低功耗状态(OD/PDWN)
保护条件
正常状态下,如果电池放电使使任何一个电池电压(V BATU /V BATD )低于过电压放电保护阈值(V ODU/D ),且
持续时间超过过电压放电保护延迟时间(t
OD ), 则  PW7152  将使放电控制端 D OUT  由高电平转为 V SS  端电平(低
电平),从而使外接放电控制 N-MOSFET 管 Q2 关闭,放电回路被“切断”,即 
PW7152  进入过电压放电保护状态。
同时, V
端电压将通过内部电阻 R VMD  被上拉到 V DD 。 在过电压放电保护状态下, V 端(亦即 V DD  端) 电压
总是高于电池短路保护阈值(V
SHORT ),满足此条件后,电路会进入“省电” 的低功耗模式。此时, V DD  端的电流将
低于 2.1μA。
恢复条件
对于处在低功耗模式下电路, 如果对电池进行充电(同样,由于 Q2 体内二极管的存在,此时的充电回路也
是存在的), 使 V
端电压低于电池短路保护阈值(V SHORT ),则  PW7152  将恢复到过电压放电保护状态, 此时,
放电控制端 D
OUT  仍为低电平, Q2 还是关闭的。 如果此时停止充电,由于 V 端仍被 R VMD  上拉到 V DD , 大于
电池短路保护阈值( V
SHORT ),因此  PW7152  又将回到低功耗模式;只有继续对电池充电,当两个电池电压
(V
BATU /V BATD )都大于过电压放电保护阈值(V ODU/D ) 时,  PW7152  才可从过电压放电保护状态恢复到正常状
态。
如果不使用充电器,由于电池去掉负载后的“自升压”,可能会使两个电池电压(V
BATU /V BATD ) 超过过电压放
电恢复阈值(V
ODRU/D ), 且持续时间超过过电压放电恢复延迟时间(t ODR ), 此时  PW7152  也将从过电压放电保
护状态或低功耗模式恢复到正常状态。
PW7152  恢复到正常状态以后,放电控制端 D OUT  将输出高电平,使外接放电控制 N-MOSFET 管 Q2 回到
导通状态。
过电流放电/电池短路保护状态(EDI)
保护条件
正常状态下,  PW7152  通过负载对电池放电, V 端电压将随放电电流的增加而升高。如果放电电流增加使
V
端电压超过过电流放电保护阈值(V EDI ), 低于电池短路保护阈值(V SHORT ), 且持续时间超过过电流放电保
护延迟时间(
tEDI ),则  PW7152  进入过电流放电保护状态;如果放电电流进一步增加使 V 端电压超过电池短路
保护阈值(V
SHORT ),且持续时间超过短路延迟时间( t SHORT ),则  PW7152  进入电池短路保护状态。  PW7152 
于过电流放电
/ 电池短路保护状态时,  D OUT  端将由高电平转为  V SS  端电平,从而使外接放电控制  N-MOSFET 
Q2  关闭,放电回路被 切断 ;同时,  V 端将通过内部电阻  R VMS  连接到  V SS ,放电负载取消后,  V 端电平即
变为 
V SS  端电平。
恢复条件
在过电流放电 / 电池短路保护状态下,当  V 端电压由高降低至低于过电流放电保护阈值( V EDI ),且持续时间
超过过电流放电恢复延迟时间(
tEDIR ),则  PW7152  可恢复到正常状态。因此,在过电流放电 / 电池短路保护状态
下,当所有的放电负载取消后, 
PW7152  即可 自恢复
PW7152  恢复到正常状态以后,放电控制端  D OUT  将输出高电平,使外接放电控制  N-MOSFET  管  Q2  回到
导通状态。
过电流充电保护状态 (ECI)
保护条件
正常状态下,使用充电器对电池进行充电,  V 端电压将随充电电流的增加而降低。如果充电电流增加使  V M
端电压低于过电流充电保护阈值( V ECI
时间
MO
t ECI ),则  PW7152  将使充
FET  管  Q1  关闭,充电回路
电控制端  C OUT  由高电平转为  V 端电平(低电平),从而使外接充电控制  N- 切断 ,即  PW7152  进入过电流充电保护状态。
恢复条件
在过电流充电保护状态,如果取消充电器,则  V 端电压将会升高,当它大于过电流充电保护阈值( V ECI ),
且持续时间超过过电流充电恢复延迟时间(
t ECIR ),  PW7152  将恢复到正常状态。
PW7152  恢复到正常状态以后,充电控制端  C OUT  将输出高电平,使外接充电控制  N-MOSFET  管  Q1  回到
导通状态。延迟时间缩短测试功能当 
VM  小于 -5V ,  VDD  从  0V  升高至正常值时,芯片将进入快速检测模式,缩
短延迟时间,并禁止过电流充电保护功能。过电压充电检测和过电压放电检测延迟时间会缩短到将近 
1ms , 这可
以有效地缩短保护电路 
PCB  的检测时间。当  VM  升高至  0V  以上时,芯片将退出快速
0V  电池充电
PW7152  的  0V  电池充电功能可以对电压为  0V  的电池进行再充电。 如果使用充电器对电池充电,使  V DD
端相对  V 端的电压大于  0V  充电阈值( V 0CHA ) 时,其充电控制端  C OUT  将被连接到  V DD  端。若该电压能够
使外接充电控制 
N-MOSFET  管  Q1  导通,则通过放电控制  N-MOSFET  管  Q2  的体内二极管可以形成一个充电
回路,使电池电压升高;当电池电压升高致使 
VDD  端电压超过过电压放电保护阈值( VODU/D ) 时,  PW7152
将回到正常状态,同时放电控制端  C OUT  输出高电平,使外接放电控制  N-MOSFET ,  Q2  处于导通状态。
R1 、  R2  和  R3  的确定:
R1 和 R2 用于稳定芯片的供电电压, 推荐分别使用 330Ω 的电阻。 如果 R1 和 R2 太大,芯片的导通电流
会导致检测电压上升,使各检测阈值与电池实际电压偏差增加;同时,如果充电器接反,可能会使 
PW7152  电路
的 V
DD  端与 V SS  端电压超过极限值,导致电路损坏, 因此 R1 和 R2 也不宜太小, 一般控制在 100Ω 至 470Ω
之间。在充电器反接或连接充电电压高于极限值的充电器时, R3 起限制电流的作用。 如果 R3 太小, 由于充电
器的反接在芯片内部流入容许功耗以上的电流,有导致芯片损坏的危险。 R3 连接过大电阻,当连接高电压充电器
时,有可能导致不能切断充电电流的情况发生。因此, R3 应控制在 1kΩ 至 4KΩ 之间。
C1 和 C2 的确定
C1 和 C2 有稳定 VDD 电压的作用,尽量选用大于或等于 0.1μF 的电容。


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